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| C3N4膜的制备,结构和性能 | |
| 引用本文： | 顾有松,时东霞.C3N4膜的制备,结构和性能[J].真空科学与技术,1999,19(10):93-96. |
| 作者姓名： | 顾有松 时东霞 |
| 作者单位： | [1]北京科技大学材料物理系 [2]中国科学院北京真空物理实验室 |
| 摘 要： | 采用微波等离子体化学气相沉积法，用高纯氮气（９９．９９９％）和甲烷（９９．９％）作反应气体，在多晶铂（Ｐｔ）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。利用扫描电子显微镜和扫描隧道显微镜观察薄膜形貌表明，薄膜由针状晶体组成。Ｘ射线能谱分析了这种晶态Ｃ－Ｎ膜的化学成分，对不同样品不同区域的分析结果表明，Ｎ／Ｃ比接近于４：３。Ｘ射线衍射结构分析说明，该厝主要由α－Ｃ３Ｎ４和β－Ｃ３Ｎ４和β－Ｃ３Ｎ４组成。ａｎｏ Ｉｎｄｅ |
| 关 键 词： | 薄膜 MP－CVD 氮碳膜 性能 结构 |
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