Ag—MgF2金属陶瓷薄膜氧化的XPS研究

报道了对Ａｇ－ＭｇＦ２金属陶瓷薄膜在具空中退火时氧化现象的ＸＰＳ分析结果。在低真空中（ｐ〈３０ｐａ），当退火温度为８００℃时，ＭｇＩｓ光电子结合能为１３０５．４０ｅＶ，属于ＭｇＦ２结构，当退火温度达到１１００℃时，Ｍｇ１ｓ光电子结合能国１３０３．７５ｅＶ，属于ＭｇＯ结构。从Ａｇ－ＭｇＦ２体系转变为Ａｇ－ＭｇＯ体系Ｍｇ１ｓ光电子结合能向低能一侧位移了１．６５ｅＶ。