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| 改善UHV／CVD外延生长环境提高GeSi／Si材料性能有效方法 | |
| 引用本文： | 雷震霖,于卓.改善UHV／CVD外延生长环境提高GeSi／Si材料性能有效方法[J].真空科学与技术,1999,19(10):152-155. |
| 作者姓名： | 雷震霖 于卓 |
| 作者单位： | [1]中科院沈阳科学 [2]心 |
| 摘 要： | 本阐述了应用国产ＵＨＶ／ＣＶＤ设备处延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料碳、氧含同的原因，定量地分析了有害残余气体的成分，提出了改善处延生长环境提高ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料性能的有效方法。 |
| 关 键 词： | 超高真空 CVD 外延 残余气体 硅 锗 材料性能 |
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