Si片上PbTiO3薄膜的XPS研究 |
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引用本文: | 汪贵华,杨伟毅.Si片上PbTiO3薄膜的XPS研究[J].真空科学与技术,1999,19(2):97-101. |
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作者姓名: | 汪贵华 杨伟毅 |
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作者单位: | 南京理工大学电子工程与光电技术学院 |
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摘 要: | 用溶胶-凝胶方法在Si上成功地制备了钙钛矿型的PbTiO3薄膜。X射线衍射结果显示,在热处理温度为750 ̄900℃范围内,随温度升高,薄膜由多晶转变为定向结晶。X射线光电子能谱分析发现,薄膜表面存在SiO2薄层,其厚度大约为0.6nm,该薄层是在制膜过程中衬底Si通过PbTiO3薄膜扩散到表面与大气中的O2反应而形成的。在750℃热处理的薄膜,膜层中不含SiO2,但温度升高,膜层中存在SiO2成分
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关 键 词: | 溶胶-凝胶法 钛酸铅 薄膜 硅 铁电薄膜 XPS研究 |
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