W/SiC纳米多层膜的制备及表征 |
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引用本文: | 李戈扬,张流强.W/SiC纳米多层膜的制备及表征[J].真空科学与技术,1999,19(4):279-282. |
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作者姓名: | 李戈扬 张流强 |
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作者单位: | [1]上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 [2]中国科学院上海冶金研究所 |
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摘 要: | 采用多靶磁控溅射制备了W/SiC纳米多层膜,并用XRD和TEM研究了W/SiC纳米多层膜的微结构。研究表明,W/SiC纳米多层膜的调制结构界面平直,清晰,周期性好,SiC调制层为非晶态,W调制层在大调制周期为纳米晶,并随调制周期减小逐渐转变为非晶态。
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关 键 词: | 纳米 多层膜 多靶溅射 调制结构 钨 碳化硅 |
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