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| W／SiC纳米多层膜的制备及表征 | |
| 引用本文： | 李戈扬,张流强.W／SiC纳米多层膜的制备及表征[J].真空科学与技术,1999,19(4):279-282. |
| 作者姓名： | 李戈扬 张流强 |
| 作者单位： | [1]上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 [2]中国科学院上海冶金研究所 |
| 摘 要： | 采用多靶磁控溅射制备了Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜，并用ＸＲＤ和ＴＥＭ研究了Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜的微结构。研究表明，Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜的调制结构界面平直，清晰，周期性好，ＳｉＣ调制层为非晶态，Ｗ调制层在大调制周期为纳米晶，并随调制周期减小逐渐转变为非晶态。 |
| 关 键 词： | 纳米 多层膜 多靶溅射 调制结构 钨 碳化硅 |
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