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| MPCVD法在Si衬底上生成β—C3N4晶态薄膜的研究 | |
| 引用本文： | 时东霞,顾有松.MPCVD法在Si衬底上生成β—C3N4晶态薄膜的研究[J].真空科学与技术,1999,19(A10):77-80,84. |
| 作者姓名： | 时东霞 顾有松 |
| 作者单位： | [1]中国科学院物理研究所凝聚态物理中心 [2]北京科技大学材料物理系 |
| 摘 要： | 以Ｎ２，ＣＨ４作为反应气体，采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）进行碳氮膜的合成研究。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压，在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基底上气相合成β－Ｃ３Ｎ４晶态薄膜。扫描电子显微镜（ＳＥＲＭ）下观察到生长在Ｓｉ基底上的薄膜具有六角晶棒的密结构。ＥＤＸ分析胡沉积条件的不同，六角晶棒中Ｎ／Ｃ在１．０～２．０之间。Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）发现薄膜中含有β－Ｃ３ |
| 关 键 词： | β相 MP－CVD 碳氮薄膜 硅衬底 |
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