硅锥场发阴极电热状态的数值模拟 |
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引用本文: | 皇甫鲁江,朱长纯.硅锥场发阴极电热状态的数值模拟[J].真空科学与技术,1999,19(6):427-432. |
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作者姓名: | 皇甫鲁江 朱长纯 |
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作者单位: | 西安交通大学电子与信息工程学院 |
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摘 要: | 用有限差分法求解相互耦合的电流连续方程导热方程,对硅锥阴极的电热状态进行了数值模拟。模拟中采用了与温度、电场相关电导率模型。模拟的表明,锥体顶端的电位变化比较突出,在较小的电流下其内部电场即可以达到临界场强,使载流子漂移速度开始饱和,并表现出饱和的发射特性。在尖锥顶端内部电场达到监界场强直至发生碰撞电离时,温升不显。
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关 键 词: | 硅锥 场发射阴极 数值模拟 电热状态 |
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