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| 磁控溅射硅基AIN薄膜的氮-氩气体流量比研究 | |
| 引用本文： | 王代强,杨发顺,徐希嫔,陈雨青,刘桥.磁控溅射硅基AIN薄膜的氮-氩气体流量比研究[J].压电与声光,2011,33(2). |
| 作者姓名： | 王代强 杨发顺 徐希嫔 陈雨青 刘桥 |
| 作者单位： | 1. 贵州大学人民武装学院,贵州贵阳550025;贵州大学理学院,贵州贵阳550025;贵州省微纳电子及软件技术重点实验室,贵州贵阳550025 2. 贵州大学理学院,贵州贵阳550025;贵州省微纳电子及软件技术重点实验室,贵州贵阳550025 3. 贵州大学理学院,贵州贵阳,550025 4. 贵阳学院物理与电子信息科学系,贵州贵阳,550009 |
| 基金项目： | 科技部科技人员服务企业项目基金 |
| 摘 要： | 反应磁控溅射制备AIN薄膜时,薄膜的质量与众多实验参数有关.靶基距、溅射功率、工作气体总压及N2气分压等实验参数影响薄膜质量的报道很多,因此,研究N2/Ar流量比对磁控溅射硅基AIN薄膜元素种类与含量的影响很有实用意义.实验表明,在其他参数一定的情况下,N2/Ar流量比对AIN薄膜元素种类与含量有很大影响.通过实验验证,选择N2/Ar流量比约为1.525可获得高质量的AIN薄膜(100取向). |
| 关 键 词： | 流量比 AIN薄膜 直流磁控反应溅射 元素种类与含量 |
The Study N2-Ar Flow Ratio of Magnetron Sputtering AIN Thin Films on Silicon |
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| WANG Daiqiang,YANG Fashun,XU Xipin,CHEN Yuqing,LIU Qiao.The Study N2-Ar Flow Ratio of Magnetron Sputtering AIN Thin Films on Silicon[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2011,33(2). | |
| Authors: | WANG Daiqiang YANG Fashun XU Xipin CHEN Yuqing LIU Qiao |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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