化学气相沉积制备块体ZnS缺陷综述

介绍了CVDZnS的应用背景及国内生产研发现状,并主要论述了CVDZnS中存在的各类缺陷。虽然相关学者已对六方相,Zn-H络合物,异常大晶粒,微裂纹等缺陷进行过相关研究,并提出了各缺陷可能的产生机理及抑制方法,但国内学术领域对CVDZnS部分缺陷问题仍停留在经验上的认识,存在诸多争议。本文除对以上缺陷进行总结补充外,还对关注相对较少的新型缺陷进行阐述与分析,共对六大类缺陷的影响及其产生机理进行界定,旨在为实际生产过程中改进生产工艺参数,探究各类缺陷抑制方法提供理论参考。涉及的材料表征手段包括XRD、SEM以及金相显微镜等。