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| 基于BP神经网络的碳化硅MOSFET栅极老化监测方法研究 | |
| 作者姓名： | 陈一凡 王景霖 崔江 王友仁 |
| 作者单位： | 1. 南京航空航天大学自动化学院;2. 航空工业上海航空测控技术研究所;3. 故障诊断与健康管理技术航空科技重点实验室 |
| 基金项目： | 航空科学基金项目(201933052001)；;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NS2021021)； |
| 摘 要： | 针对碳化硅MOSFET运行工况复杂、易造成器件栅极老化、影响电力系统可靠性的问题，提出一种基于BP神经网络的碳化硅MOSFET栅极老化监测方法。以碳化硅MOSFET的阈值电压和体二极管通态压降作为栅极老化的敏感表征参数，设计、搭建测试实验平台，获取变测量条件下的电参数值，结合BP神经网络提取健康器件与老化器件样本数据间的特征差异，充分挖掘器件的可靠性信息。实验结果表明：该方法可对碳化硅MOSFET的栅极老化状态进行较为准确的检测和评估。 |
| 关 键 词： | 碳化硅MOSFET 栅极老化 阈值电压 BP神经网络 |