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| 用单一结构研制低噪声和高增益FET | |
| 引用本文： | 兆兴.用单一结构研制低噪声和高增益FET[J].固体电子学研究与进展,1995(1). |
| 作者姓名： | 兆兴 |
| 摘 要： | 用单一结构研制低噪声和高增益ＦＥＴ据１９９３年第５７８期报道，日本三洋电机公司用单一器件结构研制接收和发射高频电路的ＦＥＴ。以往，用单一结构制作各种电路所要求的低噪声和高输出功率的电路很困难。该公司研制中改变晶体管的电流流向，而使器件达到低噪声和大输... |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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