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| 微波器件的非欧姆接触 | |
| 引用本文： | 为民.微波器件的非欧姆接触[J].微纳电子技术,1971(5). |
| 作者姓名： | 为民 |
| 摘 要： | 美帝贝尔实验室研究了微波器件的非欧姆接触。微波器件的低损耗接触一般是低电阻率欧姆接触(10~(-4)欧姆·厘米~2)。作接触所用的高温过程使制造复杂化并由于快扩散杂质而引起材料性质退化。理论和实验表明,容易制造的低温非欧姆接触在某些应用中,其微波特性可优于欧姆接触。例如在 IMPATT 二极管中用肖特基势垒作背面接触如图。二极管工作 |
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