锰-镍金属氧化物半导体材料的温差电动势率

在170～450K 温度范围内测量了具有尖晶石结构的 NiMn_2O_4氧化物半导体材料的温差电动势率 S 和电导率σ与温度的关系。结果表明,温度 T>270K 时,温差电动势率 S 随温度的升高而减小,T<270K 时,S 随温度的升高而增大,即在 T=270K 处 S-1/T 曲线出现拐点,同时电导率σ-1/T 曲线也在该点有明显拐折.分析表明,在 T>270K 时其电导为尾部定域态内的跳跃电导。T<270K 时,为费米能级 E_F 附近定域态内跳跃电导。