| 稀土钇掺杂多孔硅光致发光研究 |
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| 引用本文： | 李锡森,马书懿,孙小菁,蔡利霞,李勇. 稀土钇掺杂多孔硅光致发光研究[J]. 功能材料, 2008, 39(7) |
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| 作者姓名： | 李锡森 马书懿 孙小菁 蔡利霞 李勇 |
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| 作者单位： | 西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部科学技术研究重点项目，甘肃省重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 采用电化学方法在多孔硅中掺杂了稀土钇(Y)元素.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性.多孔硅样品在440nm波长激发下,光致发光谱上主发光峰位于620nm,认为其来源于Si-O复合物的发光中心;多孔硅样品在390nm波长激发下,光致发光谱上主发光峰分别位于527和576nm,并且用量子限制/发光中心模型加以解释.钇掺杂多孔硅样品的光致发光强度明显增强,并且在484nm附近出现新的发光峰.分析结果认为,这是由于钇的掺入,在多孔硅禁带中形成了新的表面能级,从而形成新的发光中心的结果.
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| 关 键 词： | 多孔硅 稀土钇掺杂 光致发光 |
Study on photoluminescence of porous silicon doped with rare earth element yttrium |
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| LI Xi-sen,MA Shu-yi,SUN Xiao-jing,CAI Li-xia,LI Yong. Study on photoluminescence of porous silicon doped with rare earth element yttrium[J]. Journal of Functional Materials, 2008, 39(7) |
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| Authors: | LI Xi-sen MA Shu-yi SUN Xiao-jing CAI Li-xia LI Yong |
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