| 纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究 |
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| 引用本文： | 秦秀娟 邵光杰 王文魁 刘日平. 纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1201-1204 |
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| 作者姓名： | 秦秀娟 邵光杰 王文魁 刘日平 |
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| 作者单位： | 秦秀娟（燕山大学,环境与化学工程系,河北,秦皇岛,066004;河北省亚稳材料制备技术与科学重点实验室,河北,秦皇岛,066004）;邵光杰（燕山大学,环境与化学工程系,河北,秦皇岛,066004;河北省亚稳材料制备技术与科学重点实验室,河北,秦皇岛,066004）;王文魁（河北省亚稳材料制备技术与科学重点实验室,河北,秦皇岛,066004）;刘日平（河北省亚稳材料制备技术与科学重点实验室,河北,秦皇岛,066004） |
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| 基金项目： | 燕山大学科技发展基金的资助(YDJJ2031). |
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| 摘 要： | 以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出在700～900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol,导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程.与粗晶ZnO的晶粒生长进行了对比,初步分析了纳米ZnO的烧结机制.
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| 关 键 词： | 纳米烧结 ZnO纳米块材 晶粒生长的动力学指数 表观活化能 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1201-04 |
| 修稿时间： | 2004-03-16 |
Grain growth of nano-sized semiconductor ZnO bodies |
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