| 辐照对PDSOI RF MOS体接触结构器件性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘梦新,刘刚,韩郑生. 辐照对PDSOI RF MOS体接触结构器件性能的影响[J]. 半导体技术, 2010, 35(9): 863-867. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.09.002 |
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| 作者姓名： | 刘梦新 刘刚 韩郑生 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，国家重点基础研究发展计划资助项目 |
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| 摘 要： | 基于抗辐照加固0.35μm PDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件,研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响.在其静态工作模式下,分别考虑了辐照对器件转移特性、泄漏电流、跨导及输出特性的影响;在其交流工作模式下,分别考虑了辐照对其交流小信号电流增益、最大有效/稳定增益、截止频率和最高震荡频率的影响.试验结果表明,与同类非加固工艺器件相比,此种PDSOI RF NMOS抗辐照性能更好,其中以LBBC和LTS型体接触器件受电离总剂量辐照影响最小,并且可获得截止频率22.39 GHz和最高振荡频率29.19 GHz.
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| 关 键 词： | 部分耗尽 绝缘体上硅 电离总剂量辐照 射频 增益 |
Study on the Total Ionizing Dose Radiation Effect of PDSOI RF MOS Device with Different Body Contact Structures |
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| Liu Mengxin,Liu Gang,Han Zhengsheng. Study on the Total Ionizing Dose Radiation Effect of PDSOI RF MOS Device with Different Body Contact Structures[J]. Semiconductor Technology, 2010, 35(9): 863-867. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.09.002 |
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| Authors: | Liu Mengxin Liu Gang Han Zhengsheng |
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| Affiliation: | Liu Mengxin,Liu Gang,Han Zhengsheng(Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | partially depleted SOI total ionizing dose radiation RF gain |
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