| Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长 |
| |
| 引用本文： | 姚靖 谢自力 刘斌 韩平 张荣 江若琏 刘启佳 徐峰 龚海梅 施毅 郑有炓. Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长[J]. 激光与红外, 2007, 37(B09): 971-973,980 |
| |
| 作者姓名： | 姚靖 谢自力 刘斌 韩平 张荣 江若琏 刘启佳 徐峰 龚海梅 施毅 郑有炓 |
| |
| 作者单位： | [1]江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,江苏南京210093 [2]中国科学院上海技术物理所,上海200083 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划（2006CB604900）;国家高技术研究发展规划（2006AA03A103,2006AA03A142）;国家自然科学基金（6039072,60421003,60676057）;高等学校博士学科点专项科研基金（20050284004）和江苏省自然科学基金项目（BK2005210）. |
| |
| 摘 要： | 文章主要研究利用金属有机物化学汽相沉积（MOCVD）方法制备的Mg掺杂AlGaN薄膜。根据Raman光谱对Mg掺杂AlGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温AlN插入层能有效调节应力，并提高薄膜质量，降低位错密度。实验发现在保持Mg掺杂量不变的情况下，随着Al组分的上升，材料中出现大量岛状晶核，粗糙度变大，晶体质量下降，由三维生长向二维生长的转变更加困难。同时研究发现Al组分的上升和Mg掺杂量的增加都会使得螺位错密度上升；Mg的掺杂对于刃位错有显著影响，而Al组分的上升对刃位错无明显影响。经过退火温度对空穴浓度影响的研究，发现对于P型Al0.1Ga0.9N样品，900℃为比较理想的退火温度。
|
| 关 键 词： | 金属有机物化学汽相淀积 Mg掺杂 P型AlGaN Raman光谱 |
| 文章编号： | 1001-5078（2007）增刊-0971-03 |
| 修稿时间： | 2007-07-12 |
Study on Mg-doped AIGaN Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition |
| |
| YAO Jing ,XIE Zi-li ,LIU Bin ,HAN Ping ,ZHANG Rong ,JIANG Ruo-lian ,LIU Qi-jia ,XU Feng , GONG Hai-mei, SHI Yi ,ZHENG You-dou. Study on Mg-doped AIGaN Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition[J]. Laser & Infrared, 2007, 37(B09): 971-973,980 |
| |
| Authors: | YAO Jing XIE Zi-li LIU Bin HAN Ping ZHANG Rong JIANG Ruo-lian LIU Qi-jia XU Feng GONG Hai-mei SHI Yi ZHENG You-dou |
| |
| Affiliation: | 1. Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Nanjing 210093, China; 2. Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MOCVD Mg doped P-AlGaN Raman spectrum |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
