| 自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器 |
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| 引用本文： | 王延锋,孙海峰,刘新宇,和致经,吴德馨.自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器[J].半导体学报,2003,24(4):406-410. |
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| 作者姓名： | 王延锋 孙海峰 刘新宇 和致经 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心 北京100029
(王延锋，孙海峰，刘新宇，和致经)，中国科学院微电子中心 北京100029(吴德馨) |
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| 摘 要： | 对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B.
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| 关 键 词： | 自对准工艺 InGaP/GaAsHBT 跨阻放大器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)04-0406-05 |
| 修稿时间： | 2002年5月29日 |
Self-Aligned InGaP/GaAs HBT Monolithic Transimpedance Amplifier |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | self aligned BE junction process InGaP/GaAs HBT transimpedance amplifier |
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