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| 硅基GaN外延层微结构的HREM研究 | |
| 作者姓名： | 朱健民 陈鹏 沈波 朱信华 朱滔 周舜华 李齐 |
| 作者单位： | 南京大学物理系固体微结构物理国家实验室,南京,210093 |
| 基金项目： | 南京大学固体微结构国家实验室开放课题,攀登计划 |
| 摘 要： | 由于ＧａＮ薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景，目前国际上对其进行了广泛的研究，但这些应用的实现有赖于生长出高质量的ＧａＮ单晶薄膜，以便有目的地掺杂ｎ－型和ｐ－型。迄今为止，ＧａＮ生长的极大部分工作为异质外延于蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上，而将... |
| 关 键 词： | 微结构 HREM GaW薄膜 外延层 薄膜 |
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