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蓝宝石衬底片化学机械抛光的研究
引用本文:王娟,刘玉岭,檀柏梅,李薇薇,周建伟,牛新环. 蓝宝石衬底片化学机械抛光的研究[J]. 微细加工技术, 2005, 0(4): 65-68
作者姓名:王娟  刘玉岭  檀柏梅  李薇薇  周建伟  牛新环
作者单位:河北工业大学,微电子研究所,天津,300130
基金项目:天津市重大攻关项目资助(043801211)
摘    要:为了提高蓝宝石化学机械抛光(CMP)效果,对其抛光工艺进行了研究。采用SiO2磨料对蓝宝石衬底片进行抛光,分析了抛光时的温度、pH条件、磨料粒径及浓度,结果表明,采用80nm大粒径、高浓度的SiO2磨料,既可以保证抛光速率,又能得到良好的表面状;当pH值在10~12时,可加速蓝宝石在碱性条件下的化学反应速率,从而提高抛光速率;在30℃时,能较好地平衡化学作用与机械作用,获得平滑表面;加入适量添加剂,可增大反应产物的体积,易于提高机械作用的效果,以获得较高的去除速率。

关 键 词:蓝宝石 化学机械抛光 纳米硅溶胶
文章编号:1003-8213(2005)04-0065-04
收稿时间:2005-04-20
修稿时间:2005-07-28

Chemical Mechanical Polishing of Sapphire Substrate
WANG Juan,LIU Yu-ling,TAN Bai-mei,LI Wei-wei,ZHOU Jian-wei,NIU Xin-huan. Chemical Mechanical Polishing of Sapphire Substrate[J]. Microfabrication Technology, 2005, 0(4): 65-68
Authors:WANG Juan  LIU Yu-ling  TAN Bai-mei  LI Wei-wei  ZHOU Jian-wei  NIU Xin-huan
Affiliation:Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China
Abstract:
Keywords:sapphire   chemical mechanical polishing    nano-SiO2 colloid
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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