| FeCoSiB薄膜应力阻抗性能的的影响因素及提高方法 |
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| 引用本文： | 谌贵辉,张万里,彭斌,蒋洪川,杨国宁.FeCoSiB薄膜应力阻抗性能的的影响因素及提高方法[J].真空,2006,43(3):25-28. |
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| 作者姓名： | 谌贵辉 张万里 彭斌 蒋洪川 杨国宁 |
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| 作者单位： | 1. 西南石油大学电子信息工程学院,四川,成都,610500
2. 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜，溅射过程中施加一横向静磁场，并在真空中退火。实验结果表明，FeCoSiB的应力阻抗效应与制备工艺（工作气压、溅射磁场）和退火条件（退火温度、退火时间）有着非常密切的联系。当偏置磁场从60 Oe增加到120 Oe时，薄膜的应力阻抗从0．5％提高到了1．65％。在80 Oe磁场下，薄膜经300℃、40min退火处理后，应力阻抗效应达1．86％。
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| 关 键 词： | 磁弹性薄膜 应力阻抗 溅射气压 偏置场 退火处理 |
| 文章编号： | 1002-0322（2006）03-0025-04 |
| 收稿时间： | 2005-12-05 |
| 修稿时间： | 2005-12-05 |
Influencing factors on stress-impedance of FeCoSiB thin films and improvement |
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| CHEN Gui-hui,ZHANG Wan-li,PENG Bin,JIANG Hong-chuan,YANG Guo-ling.Influencing factors on stress-impedance of FeCoSiB thin films and improvement[J].Vacuum,2006,43(3):25-28. |
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| Authors: | CHEN Gui-hui ZHANG Wan-li PENG Bin JIANG Hong-chuan YANG Guo-ling |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetoelastic thin film stress-impedance working gas pressure bias field annealing |
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