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| 准分子激光诱导非晶硅晶化制备多晶硅薄膜晶体管 | |
| 引用本文： | 戴永兵,邹雪城,徐重阳,李兴教,沈荷生,张志明.准分子激光诱导非晶硅晶化制备多晶硅薄膜晶体管[J].微电子学,2000,30(5):343-346. |
| 作者姓名： | 戴永兵 邹雪城 徐重阳 李兴教 沈荷生 张志明 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学,微电子技术研究所,上海,200030;华中理工大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 2. 华中理工大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 3. 上海交通大学,微电子技术研究所,上海,200030 |
| 摘 要： | 讨论了用准分子激光诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜晶体管的结构与工艺优化问题。用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅薄膜进行了诱导晶化处理 ,成功制备了多晶硅薄膜晶体管 ,获得最大场效应迁移率为 1 4.5cm2 /V· s,亚阈值斜率为 1 .9V/dec,开关电流比为 1 .0× 1 0 6的器件性能。 |
| 关 键 词： | 准分子激光 非晶硅 晶化 多晶硅薄膜晶体管 |
| 修稿时间： | 1999-12-27 |
Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor Fabricated by Excimer Laser Crystallization of Amorphous Silicon |
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| DAI Yong-bing,ZOU Xue-cheng,XU Zhong-yang,LI Xing-jiao,SHEN He-sheng,ZHANG Zhi-ming.Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor Fabricated by Excimer Laser Crystallization of Amorphous Silicon[J].Microelectronics,2000,30(5):343-346. | |
| Authors: | DAI Yong-bing ZOU Xue-cheng XU Zhong-yang LI Xing-jiao SHEN He-sheng ZHANG Zhi-ming |
| Abstract: | |
| Keywords: | Excimer laser Amorphous si licon Crystallization Polycrystalline silicon thin film transistor |
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