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射频反应磁控溅射制备低辐射薄膜
引用本文:金炯,董树荣,王德苗. 射频反应磁控溅射制备低辐射薄膜[J]. 真空科学与技术学报, 2006, 26(1): 28-31,56
作者姓名:金炯  董树荣  王德苗
作者单位:浙江大学信息与电子工程系,杭州,3100027
摘    要:采用射频反应磁控溅射法制备了低辐射薄膜.对低辐射膜的薄膜结构的设计和测试结果表明:较合适的膜层结构是空气/二氧化钛/钛/银/二氧化钛/玻璃基片的多层结构.用扫描电镜分析了保护层钛层的作用,研究表明:银膜很容易氧化失效,失去反射红外紫外光作用,在表面镀覆钛保护层可以很好地保护银,避免银氧化,从而提高使用寿命.用分光光度计测试样品的透射率,当保护层钛层厚度为1 nm时,相应的膜系在可见光区(380 nm~780 nm),最高透射率可达82.4%,平均透射率是75%;在近红外区(780 nm~2500 nm)的平均透射率为16.2%,可以满足建筑物幕墙玻璃等低辐射膜的要求.

关 键 词:低辐射薄膜  射频磁控溅射  保护层  多层膜  透射率
文章编号:1672-7126(2006)01-028-04
收稿时间:2005-05-16
修稿时间:2005-05-16

Growth of Low-Emissivity Films by RF Magnetron Reactive Sputtering
Jin Jiong,Dong Shurong,Wang Demiao. Growth of Low-Emissivity Films by RF Magnetron Reactive Sputtering[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2006, 26(1): 28-31,56
Authors:Jin Jiong  Dong Shurong  Wang Demiao
Abstract:
Keywords:Low-E films   RF magnetmn sputtering   Protective layer   Muhilayers films   Transmittance
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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