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| 一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT | |
| 作者姓名： | 刘海涛 陈启秀 白玉明 |
| 作者单位： | 浙江大学功率器件研究所!杭州310027 |
| 摘 要： | 提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ晶体管，使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ双极晶体管的混合特性，在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的快速关断性。对耐压６００Ｖ的ＭＯＳＧＣＴ进行二维数值分析，其结果表明ＭＯＳ－ＧＣＴ的电流密度比ＤＭＯＳ提高４５％，且关断时间小于１００ｎｓ |
| 关 键 词： | MOS栅控晶体管 MOSGCT 功率晶件 MOSFET |
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