正向栅控二极管的R—G电流直接表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区

使用半导体器件数值分析工具DESSISE－ISE，对正向栅控二极管R－G电流表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区进行了详尽的研究，数值分析表明，由于栅控正向二极管界面态R－G电流的特征，沟道工程pocket或halo注入区的界面态会产生一个独立于本征沟道界面态R－G电流特征峰的附加特征峰，该峰的幅度对应于pocket或halo区的界面态大小，而其峰位置对应于pocket或halo区的有效表面浓度，数值分析还进一步显示了该附加特征峰的幅度对pocket或halo区的界面态变化的敏感性和该峰的位置对pocket或halo区的有效表面浓度变化的敏感性，根据提出的简单表达式，可以用实验得到的R－G电流的特征直接抽取沟道工程的pocket或halo注入区的界面态和的有效表面浓度。