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| 两步退火形成钛硅化物和氮化物的研究 | |
| 引用本文： | 何杰,刘仲春,栾洪发,刘理天,钱佩信.两步退火形成钛硅化物和氮化物的研究[J].真空科学与技术学报,1996(3). |
| 作者姓名： | 何杰 刘仲春 栾洪发 刘理天 钱佩信 |
| 作者单位： | 清华大学微电子研究所!北京100084 |
| 基金项目： | 中国博士后科学基金，清华大学科学研究基金 |
| 摘 要： | 模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺，对超高真空（UHV）下制备的Ti／Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（AES）和X射线衍射（XRD）分析样品的组分及晶相。发现高温退火后，薄膜内同时生成了Ti的硅化物及氮化物，这对发展MOS器件工艺中自对准硅、氮化物技术很有意义。另外，还利用扫描电镜（SEM）观察了薄膜形貌，用VandePauw法测量了薄膜电阻。 |
| 关 键 词： | 钛 硅化物 氮化物 两步退火 薄膜反应 |
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