Mechanisms of surface charge accumulation in SF6 |
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Authors: | Jing T. Morshuis P. H. F. Kreuger F. H. |
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Affiliation: | (1) Singapore Institute of Standards and Industrial Research, Singapore;(2) High Voltage Laboratory, Delft University of Technology, 2628 CD Delft, The Netherlands |
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Abstract: | Contents Special geometries of electrodes were designed to determine the dominant mechanism of surface charge accumulation. It was found that the charge transport in the gas is dominant, and consequently, the normal field at spacer surfaces as well as the ionization behaviour at electrode surfaces play important roles in charge accumulation in SF6.
Akkumulationsmechanismus von Oberflächenladungen in SF6 Übersicht Zur Bestimmung des Akkumulationsmechanismus von Oberflächenladungen wurden spezielle Elektrodenkonfigurationen entwickelt. Der Ladungstransport im Gas wurde als dominierend erkannt. Folglich spielen die Größe der Normalkomponente des elektrischen Feldes auf der Stützeroberfläche und das Ioinisationsverhalten an der Elektrodenoberfläche eine wichtige Rolle hinsichtlich der Oberflächenladungsakkumulation in SF6. |
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