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MEMS单晶硅加热雾化芯片设计与制作
作者单位:;1.云南中烟工业有限责任公司技术中心;2.重庆大学新型微纳器件与系统重点学科实验室;3.重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室
摘    要:为实现高粘度液体的雾化,提出一种微机电系统(MEMS)单晶硅快速加热雾化芯片。对单晶硅加热芯片结构进行了设计,芯片为10 mm×10 mm的方形,布置了168个边长为500μm的方形雾化孔。通过ANSYS有限元软件进行了电—热耦合仿真,以评估其温度分布均匀性。衬底采用5×10~(-3)Ω·cm的4 in(l in=2.54 cm)N型(100)硅片,基于各向异性湿法腐蚀工艺完成了微孔阵列和芯片的制造。测试结果表明:室温下芯片电阻约为0.6Ω,且电阻值与温度呈正相关;芯片温度分布均匀,最低温与最高温相差约12.7%;施加3.7 V电压时,芯片在4 s内可升温至300℃,能够实现对甘油的快速雾化。该芯片结构和制作工艺简单,易于实现批量制造。

关 键 词:微机电系统  雾化  高粘度液体  加热芯片

Design and fabrication of MEMS monocrystalline silicon hotplate chip for atomization
Abstract:
Keywords:
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