| 基于TSV工艺的三维FPGA热分析 |
| |
| 引用本文： | 黄俊英,张 超,林 郁,孙嘉斌,杨海钢. 基于TSV工艺的三维FPGA热分析[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15(2): 302-306 |
| |
| 作者姓名： | 黄俊英 张 超 林 郁 孙嘉斌 杨海钢 |
| |
| 作者单位： | 1.System on Programmable Chip Research Department，Institute of Electronics，Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190，China；2.University of Chinese Academy of Sciences，Beijing 100190，China,System on Programmable Chip Research Department，Institute of Electronics，Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190，China,System on Programmable Chip Research Department，Institute of Electronics，Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190，China,System on Programmable Chip Research Department，Institute of Electronics，Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190，China and System on Programmable Chip Research Department，Institute of Electronics，Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190，China |
| |
| 摘 要： | 为探索三维现场可编程门阵列(FPGA)芯片温度的影响因素，提出一种三维FPGA有限元仿真模型。首先，利用商业有限元软件构建基于硅通孔(TSV)、微凸块、倒装焊共晶焊球、无源硅中介层、焊球阵列(BGA)焊球和印制电路板(PCB)的模型。然后，利用该模型从定性和定量的角度对不同TSV数目及堆叠层数的三维FPGA芯片进行温度分析。实验发现，底层芯片到顶层芯片的平均温度呈递增趋势，且各层芯片的平均温度随TSV数目的减少和堆叠层数的增加而升高。实验结果与已发表文献中的结果一致，表明提出的仿真模型在分析芯片温度的影响参数方面的可行性。
|
| 关 键 词： | 三维现场可编程门阵列；有限元模型；硅通孔；堆叠层数 |
| 收稿时间： | 2015-11-13 |
| 修稿时间： | 2015-12-08 |
Thermal analysis for 3-D FPGA with TSV technology |
| |
| HUANG Junyingaigang,ZHANG Chao,LIN Yu,SUN Jiabin and YANG Haigang. Thermal analysis for 3-D FPGA with TSV technology[J]. Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology, 2017, 15(2): 302-306 |
| |
| Authors: | HUANG Junyingaigang ZHANG Chao LIN Yu SUN Jiabin YANG Haigang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《太赫兹科学与电子信息学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《太赫兹科学与电子信息学报》下载免费的PDF全文 |
|
