| 深亚微米集成工艺仿真系统TSUPREM-4的功能及应用 |
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| 引用本文： | 李惠军,徐永勋. 深亚微米集成工艺仿真系统TSUPREM-4的功能及应用[J]. 微纳电子技术, 2003, 40(2): 34-34 |
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| 作者姓名： | 李惠军 徐永勋 |
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| 作者单位： | 山东大学信息科学与工程学院,山东,济南,250100 |
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| 摘 要： | 介绍了TSUPREM-4集成电路工艺仿真系统的主要仿真功能及系统的深亚微米模型。以LDD结构的NMOS器件为例进行了二维工艺仿真,得到了NMOS器件的二维剖面结构、杂质浓度的等值分布描述以及相应的电学特性。
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| 关 键 词： | 集成电路 深亚微米 计算机辅助设计 工艺仿真 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)02-0034-05 |
| 修稿时间： | 2002-11-20 |
Function and application of deep submicron integrated process simulation system TSUPREM-4 |
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| LI Hui-jun,XU Yong-xun. Function and application of deep submicron integrated process simulation system TSUPREM-4[J]. Micronanoelectronic Technology, 2003, 40(2): 34-34 |
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| Authors: | LI Hui-jun XU Yong-xun |
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| Abstract: | The paper introduces the simulation functions and deep submicron model of IC process simulation system TSUPRME-4, then fulfills the two-dimensional process simulation of an n-chan-nel MOS device with a lightly-doped drain. Two-dimensional section structure, profiling of impurity concentration and electrical characteristics of NMOS are gained. |
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| Keywords: | IC deep submicron computer aided design (CAD) process simulation |
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