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| 碳纳米管的场发射特性 | |
| 引用本文： | 陈绍凤,夏善红,宋青林,胡平安,刘云圻,朱道本.碳纳米管的场发射特性[J].半导体学报,2003,24(5):166-169. |
| 作者姓名： | 陈绍凤 夏善红 宋青林 胡平安 刘云圻 朱道本 |
| 作者单位： | [1]中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室，北京100080 [2]中国科学院化学研究所分子科学中心，北京100080 |
| 摘 要： | 研究了碳纳米管的场致发射特性，实验证明碳纳米管作为场发射阴极材料具有优越性。通过对碳纳米管进行温度处理，得到了与基片附着力强的碳纳米管；测试了场发射特性，发现碳纳米管其开启电压较低(30V)。 |
| 关 键 词： | 碳纳米管 场致发射 一致性 |
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