| 基于1.5 μm BiCMOS 工艺的SiGe HBT器件设计优化 |
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| 引用本文： | 李文杰,戴广豪,谭开洲,王生荣,李竞春,杨谟华.基于1.5 μm BiCMOS 工艺的SiGe HBT器件设计优化[J].微电子学,2006,36(5):595-597,600. |
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| 作者姓名： | 李文杰 戴广豪 谭开洲 王生荣 李竞春 杨谟华 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学,四川,成都,610054
2. 模拟集成电路国家重点实验室,中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。
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| 关 键 词： | SiGeHBT BiCMOS工艺 快速热退火 自对准工艺 选择性注入 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）05-0595-03 |
| 收稿时间： | 2006-01-18 |
| 修稿时间： | 2006-01-182006-06-22 |
Design Optimization of SiGe/Si HBT Based on 1.5 μm BiCMOS Technology |
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| LI Wen-jie,DAI Guang-hao,TAN Kai-zhou,WANG Sheng-rong,LI Jing-chun,YANG Mo-hua.Design Optimization of SiGe/Si HBT Based on 1.5 μm BiCMOS Technology[J].Microelectronics,2006,36(5):595-597,600. |
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| Authors: | LI Wen-jie DAI Guang-hao TAN Kai-zhou WANG Sheng-rong LI Jing-chun YANG Mo-hua |
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| Affiliation: | 1 University of Electronics Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054; 2, National Laboratory of Analog Integrated Circuits ; Sichuan Institute of Solid State Circuits, CETC, Chongqing 400060, P, R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe HBT BiCMOS Rapid thermal annealing Self-aligned technology Selective implantation |
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