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电化学法预处理硅基片提高金铡石成核密度的研究
引用本文:沈明荣,汪浩.电化学法预处理硅基片提高金铡石成核密度的研究[J].功能材料,1997,28(5):555-556.
作者姓名:沈明荣  汪浩
摘    要:通过用电化学法预先沉积一层碳膜的方法,利用热丝化学汽相沉积法使金刚石顺光滑硅片上的成核密度达到10^7cm^-2左右,与未镀碳膜相比提高了近3个数量级。文中还分析了可能的原因。

关 键 词:金刚石膜  碳膜  电化学法  成核密度  硅基片
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