| 在(111)Si衬底上磁控溅射纳米SiC薄膜的退火效应 |
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| 引用本文： | 安霞,庄惠照,杨利,薛成山,李怀祥.在(111)Si衬底上磁控溅射纳米SiC薄膜的退火效应[J].微纳电子技术,2002,39(5):20-24. |
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| 作者姓名： | 安霞 庄惠照 杨利 薛成山 李怀祥 |
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| 作者单位： | 山东师范大学半导体研究所,山东,济南,250014 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69890221,60071006) |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备出了纳米碳化硅薄膜,并研究了退火温度对薄膜的影响。用傅里叶红外透射谱（FTIR）、x射线衍射（XRD）、x光电子能谱（XPS）及原子力显微镜（AFM）对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析。AFM表明,随着退火温度的升高,碳化硅颗粒尺寸增大;在高于1000℃退火3h后,碳化硅颗粒呈现出勺状拖尾。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 碳化硅 薄膜 原子力显微镜 |
| 文章编号： | 1671-4776(2002)05-0020-05 |
| 修稿时间： | 2002年1月4日 |
Annealing effects of nano-SiC film grown on Si (111) by magnetron Sputtering method |
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| AN Xia,ZHUANG Hui-zhao,YANG Li,XUE Cheng-shan,LI Huai-xiang.Annealing effects of nano-SiC film grown on Si (111) by magnetron Sputtering method[J].Micronanoelectronic Technology,2002,39(5):20-24. |
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| Authors: | AN Xia ZHUANG Hui-zhao YANG Li XUE Cheng-shan LI Huai-xiang |
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| Abstract: | The effects of annealing in nitrogen ambience were investigated on silicon carbide films grown on n-type Si (111) substrates by radio frequency magnetron sputtering at room tem-perature. Fourier transform infrared transmission spectroscopy, x-ray diffraction, x-ray photoelectron spectroscopy and atom force microscopy are employed to analyze the structure, composition and surface morphology of the films. AFM results show that the size of SiC particles of the films in-crease with annealing temperature and take on spoon-like tails when the temperature is over 1000?. |
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| Keywords: | magnetron sputtering technique SiC thin films AFM |
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