InGaAsP/InP双异质结激光器P区欧姆接触性能研究

文章阐述了金属与半导体接触的基本理论,具体分析了Au/Zn与P型In_(1-y)Ga_yAs_xP_(1-x)欧姆接触的性能,并采用修正的四探针方法测量了比接触电阻ρ_c。实验得到了ρ_c 随半导体掺杂浓度N的变化关系,与根据电子隧穿模型计算的理论值基本一致。实验得到InGaAsP/InP双异质结激光器的顶盖层P-InP、P-InGaAsP 与 Au/zn接触的比接触电阻值ρ_c 分别达到3×10~(-4)Ω·cm~2、1.5×10~(-4)Ω·cm~2。