| 亚微米自对准硅化钛CMOS工艺 |
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| 引用本文： | 余山 章定康. 亚微米自对准硅化钛CMOS工艺[J]. 电子学报, 1994, 22(11): 78-79,86 |
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| 作者姓名： | 余山 章定康 |
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| 作者单位： | 航天工业总公司二院计算机应用和仿真技术研究所，陕西微电子学研究所 |
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| 摘 要： | 本文对两步快速热退火形成ＴｉＳｉ２的工艺及其工艺的兼容性、ＴｉＳｉ２的物理化学物性进行了研究，结合ＬＤＤ结构，形成了两步快速热退火亚微米自对准硅化钛ＣＭＯＳ工艺，并应用于集成电路的制造，改善了电路性能。
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| 关 键 词： | 集成电路 硅化钛 CMOS工艺 亚微米 |
Submicron CMOS Titanium Silicide Technology |
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| Yu Shan. Submicron CMOS Titanium Silicide Technology[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, 22(11): 78-79,86 |
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| Authors: | Yu Shan |
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| Abstract: | TiSi2 technology formed by two step rapid thermal annealing and its compability with other technology,and TiSi2 physical and chemical characteristics have been investigated.Combining to LDD, submicron CMOS Ti-Silicide technology formed by two step RTA,which can improve ICs characteristics,has been used for ICs fabrication. |
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| Keywords: | IC technology IC fabrication Thin film |
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