|
|||||
|
|
| 中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究 | |
| 引用本文： | 刘键,王文华.中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究[J].半导体杂志,1997,22(3):15-19. |
| 作者姓名： | 刘键 王文华 |
| 作者单位： | [1]北京科技大学材料物理系 [2]中科院高能物理所 |
| 摘 要： | 用正电子湮没技术研究了中子辐照半绝缘ＧａＡｓ的快速退火行为。结果表明：辐照引入的空位缺陷浓度与辐照剂量有关。退火过程中的空位团的分解和聚合与退火温度和辐照剂量关。 |
| 关 键 词： | 中子辐照 正电子湮没 快速退火 砷化镓 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |