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InP在太阳电池中的应用及进展
作者姓名:李玉茹  付莉杰  史艳磊  孙同年  孙聂枫
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所;专用集成电路重点实验室;
摘    要:介绍了国内外InP太阳电池的发展现状,对InP太阳电池的技术及其优势进行了分析。探讨了反向生长和低温键合对InP多结太阳电池质量的影响,指出其不仅可以降低位错等缺陷,提高太阳电池的转换效率,并且可以节约材料,一定程度上降低成本。InP纳米线太阳电池制造工艺简单,发展迅速,通过堆叠多个子电池可以实现高的转换效率,是未来InP太阳电池的发展方向之一。高聚光太阳电池已成为全球太阳电池的焦点,高聚光性结合低温半导体键合技术,更高转换效率的InP太阳电池一定会实现。

关 键 词:InP太阳电池  反向生长  键合技术  转换效率  抗辐射
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