| InP材料直接键合技术 |
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| 引用本文： | 李宁,韩彦军,郝智彪,孙长征,罗毅. InP材料直接键合技术[J]. 半导体学报, 2001, 22(9): 1217-1221 |
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| 作者姓名： | 李宁 韩彦军 郝智彪 孙长征 罗毅 |
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| 作者单位： | [1]集成光电子学国家重点实验室，北京100084 [2]清华大学电子工程系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;96525407,69896260-1; |
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| 摘 要： | 研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度下实现了 In P/In P大面积的均匀直接键合 ,获得了与单晶 In P衬底相同的电特性和机械强度 .在器件的键合实验中也获得了成功 ,在 In Ga As P/In P多量子阱激光器结构的外延面上键合 p- In P衬底后制作的激光器激射特性良好 .
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| 关 键 词： | 直接键合 InP 半导体激光器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)09-1217-05 |
| 修稿时间： | 2000-11-01 |
Characteristics of Direct Wafer Bonded InP Materials |
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| LI Ning,HAN Yan-jun,HAO Zhi-biao,SUN Chang-zheng and LUO Yi. Characteristics of Direct Wafer Bonded InP Materials[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(9): 1217-1221 |
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| Authors: | LI Ning HAN Yan-jun HAO Zhi-biao SUN Chang-zheng LUO Yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | direct wafer bonding InP semiconductor laser |
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