| SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究 |
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| 引用本文： | 王金国 李晓苇. SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究[J]. 光电子．激光, 1991, 2(3): 150-151 |
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| 作者姓名： | 王金国 李晓苇 |
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| 作者单位： | 河北大学物理系 071002(王金国，李晓苇，傅广生，张连水，韩理)，河北大学物理系 071002(吕福润) |
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| 摘 要： | 本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10~(17)cm~(-3)。
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| 关 键 词： | SiH4 等离子体 发光光谱 激光 |
Profile Analysis of H Lines in Laser-induced Silane Plasma |
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| Wang Jinguo,Li Xiaowei,Fu Guangsheng,HanLi Zhang Lianshui and Lu furun. Profile Analysis of H Lines in Laser-induced Silane Plasma[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 1991, 2(3): 150-151 |
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| Authors: | Wang Jinguo Li Xiaowei Fu Guangsheng HanLi Zhang Lianshui Lu furun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | laser-induced silane plasme Stark broadening. |
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