实用化GaInP—AlGaInP半导体量子阱可见光激光器 |
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作者姓名: | 熊飞克 马晓宇 |
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摘 要: | 用低压MOVPE方法研制出了波长为655nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见激光器,并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为45mA,输出光功率不小于5mW,最高工作温度不低于50℃,预计20℃时寿命接近100,000小时,主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当,完全可以满足实用要求。
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关 键 词: | 半导体 激光器 量子阱 GaInP AlGaInP |
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