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| InGaAsP／InP PFBH激光器 | |
| 引用本文： | 张静媛 王圩. InGaAsP／InP PFBH激光器[J]. 高技术通讯, 1996, 6(12): 10-12 |
| 作者姓名： | 张静媛 王圩 |
| 作者单位： | 国家光电子工艺中心，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于１００℃。 |
| 关 键 词： | 分布反馈 激光器 液相外延 磷化铟 InGaAsP |
InGaAsP/InP PFBH Laser |
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| Zhang Jingyuan, Wang Wei, Wang Xiaojie, Tian Huiliang. InGaAsP/InP PFBH Laser[J]. High Technology Letters, 1996, 6(12): 10-12 | |
| Authors: | Zhang Jingyuan Wang Wei Wang Xiaojie Tian Huiliang |
| Abstract: | |
| Keywords: | DFB (distributed Feedback ) PFBH (P- type substrate Flat- surface BuriedHeterostructure) LPE(Liquid Phase Epitaxy) |
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