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| Ga_(1-x)In_xSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长 | |
| 引用本文： | 陆大成,汪度,刘祥林,万寿科,王玉田.Ga_(1-x)In_xSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长[J].半导体学报,1992,13(9):584-587. |
| 作者姓名： | 陆大成 汪度 刘祥林 万寿科 王玉田 |
| 摘 要： | 本文报道用常压金属有机物气相外延方法在 GaSb衬底上生长 Ga_(1-x)In_xSb/GaSb应变层超晶格材料.X射线双晶衍射谱和反射电子显微像表明超晶格结构的周期性,GalnSb阱的组分均匀性和异质结界面质量较好.观察到当In含量提高时起源于超晶格-衬底界面处的失配位错.低温光荧光测量显示出因量子尺寸效应导致的带间跃迁向高能方向的移动. |
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