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基于相变存储器的SD卡系统设计
引用本文:王月青,陈小刚,蔡道林,宋志棠,李喜,陈一峰.基于相变存储器的SD卡系统设计[J].半导体光电,2015,36(4):661-666.
作者姓名:王月青  陈小刚  蔡道林  宋志棠  李喜  陈一峰
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
基金项目:中国科学院战略性先导科技专项项目(XDA09020402); 国家“973”计划项目(2013CBA01900, 2010CB934300, 2011CBA00607, 2011CB932804); 国家集成电路重大专项项目(2009ZX02023-003); 国家自然科学基金项目(61176122, 61106001, 61261160500, 61376006); 上海市科委项目(12nm0503701, 13DZ2295700, 12QA1403900, 13ZR1447200, 14ZR1447500)
摘    要:基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统.本系统由多接口SoC芯片、6.375 Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成.系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信,并使用FAT文件系统进行管理.该SD卡系统容量为256 kb,读取速度为2Mb/s,写入速度为0.5Mb/s.

关 键 词:相变存储器  SD卡  多接口SoC芯片  坏块管理  地址映射表
收稿时间:2014/9/11 0:00:00

Design of Secure Digital Memory Card System Based on Phase Change Memory
Abstract:A secure digital memory card (SD) system was designed based on phase change random access memory chip manufactured by Chinese Academy of Sciences. The SD system is mainly composed of multi-interface SoC chip, 6.375Mbits phase change memory chip and peripheral circuit, etc. Data is transferred through SD/MMC interface between the memory system and PC, and managed by FAT file system. The capacity of this SD card system is 256kb and the speed of reading and writing is 2Mb/s and 0.5Mb/s respectively.
Keywords:phase change random access memory    SD memory card  multi-interface SoC chip    bad block management    address mapping table
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