| 低阈值高效率InAIGaAs量子阱808nm激光器 |
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| 引用本文： | 李建军 韩军 邓军 邹德恕 沈光地. 低阈值高效率InAIGaAs量子阱808nm激光器[J]. 中国激光, 2006, 33(9): 159-1162 |
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| 作者姓名： | 李建军 韩军 邓军 邹德恕 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学北京光电子技术实验室,北京100022 |
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| 基金项目： | 北京市优秀人才培养专项经费（67002013200303）和北京市人才强教计划--学术创新团队（05002015200504）资助项目. |
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| 摘 要： | 以Al0.3Ga0.7 As／InAlGaAs／Al0.3Ga0.7As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区，实现降低808nm半导体激光器的阈值电流，并提高器件的效率。首先优化设计了器件结构，并利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）进行了器件的外延生长。通过优化外延生长条件，保证了5．08cm片内的量子阱（OW）光致发光（PL）光谱峰值波长均匀性达0．1％。对于条宽为50／zm，腔长为750／zm的器件，经镀膜后的阈值电流为81mA，斜率效率为1．22W／A，功率转换效率达53．7％。变腔长实验得到器件的腔损耗仅为2cm^-1，内量子效率达90％。结果表明，压应变量子阱半导体激光器具有更优异的特性。
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| 关 键 词： | 激光器 InAlGaAs量子阱 金属有机物化学气相淀积 |
| 文章编号： | 0258-7025（2006）09-1159-04 |
| 收稿时间： | 2006-02-21 |
| 修稿时间： | 2006-05-08 |
InAIGaAs Quantum Well 808 nm Laser Diode with Low Threshold Current and High Efficiency |
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| LI Jian-jun, HAN Jun, DENG Jun, ZOU De-su, SHEN Guang-di. InAIGaAs Quantum Well 808 nm Laser Diode with Low Threshold Current and High Efficiency[J]. Chinese Journal of Lasers, 2006, 33(9): 159-1162 |
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| Authors: | LI Jian-jun HAN Jun DENG Jun ZOU De-su SHEN Guang-di |
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| Affiliation: | Beijing Optoelectronic Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | lasers InAlGaAs quantum well metal organic chemical vapor deposition |
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