| 碲镉汞光伏器件的电极界面参数 |
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| 引用本文： | 胡晓宁,李言谨,方家熊. 碲镉汞光伏器件的电极界面参数[J]. 半导体学报, 2001, 22(11): 1439-1443 |
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| 作者姓名： | 胡晓宁 李言谨 方家熊 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院上海技术物理研究所传感技术国 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;19805014; |
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| 摘 要： | 利用热场发射理论和数值计算方法 ,分析了碲镉汞光伏器件的电流 -电压特性 ,提取了金属 -半导体 (MS)界面参数 ,并对这些参数进行了讨论 .结果表明 ,Sn/Au金属膜 -碲镉汞薄膜 PN器件的电极界面的势垒高度锁定在“Bardeen”限 ,界面密度比介质膜 -碲镉汞的大一个量级
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| 关 键 词： | MS界面 电流-电压特性 碲镉汞光伏器件 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)11-1439-05 |
| 修稿时间： | 2000-11-02 |
MS Interface Parameters Extracted from Current-Voltage Characteristic of PV Device |
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| HU Xiao ning,LI Yan jin and FANG Jia xiong. MS Interface Parameters Extracted from Current-Voltage Characteristic of PV Device[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(11): 1439-1443 |
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| Authors: | HU Xiao ning LI Yan jin FANG Jia xiong |
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| Abstract: | The MS interface parameters are extracted from HgCdTe PV devices' current voltage characteristic by applying Thermionic Field Emission(TFE) theory and numerical analysis.Discussion shows that the barrier height of Sn/Au HgCdTe contact is pinned at "Bardeen limit" and the interface state density is one magnitude higher than that of the dielectric film HgCdTe interface. |
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| Keywords: | MS interface current voltage characteristic HgCdTe PV device |
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