| 掺杂铌和钴元素的PZT薄膜的残余应力测定 |
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| 引用本文： | 陈泓霖,李伟,武鹏飞,丁长路,杨凯. 掺杂铌和钴元素的PZT薄膜的残余应力测定[J]. 压电与声光, 2016, 38(1): 42-45 |
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| 作者姓名： | 陈泓霖 李伟 武鹏飞 丁长路 杨凯 |
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| 作者单位： | (1. 重庆大学 新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室，重庆 400044；2.重庆大学 微系统研究中心，重庆 400044) |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(106112014CDJZR160001) |
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| 摘 要： | 锆钛酸铅(PZT)薄膜具有优异的压电性能,是制作微机电系统(MEMS)振动式能量收集器的理想材料。在溶胶-凝胶法制备PZT薄膜的过程中产生的残余应力会对能量收集器有负面影响。该文利用X线衍射法对在退火温度分别为650℃、700℃、750℃、800℃下掺杂铌(Nb)和钴(Co)元素的PZT薄膜样品的残余应力进行了测定。实验结果表明,PZT薄膜样品中的残余应力表现为压应力,从650℃升高到750℃的过程中,随着退火温度的升高薄膜中的残余应力增大;直到750℃附近后,残余应力基本保持稳定。
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶法 PZT薄膜 残余应力 X线衍射法 退火温度 |
Measurement of Residual Stress in PZT Thin Film with Nb and Co Dopants |
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| CHEN Honglin,LI Wei,WU Pengfei,DING Changlu,and YANG Kai. Measurement of Residual Stress in PZT Thin Film with Nb and Co Dopants[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2016, 38(1): 42-45 |
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| Authors: | CHEN Honglin LI Wei WU Pengfei DING Changlu and YANG Kai |
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| Affiliation: | (1.Defense Key Disciplines Lab. of Novel Micro/Nano Device and System Technology,Chongqing University,Chongqing 400044,China;,2.Micro System Research Center of Chongqing University,Chongqing 400044,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sol Gel method PZT thin film residual stress X ray diffraction method annealing temperature |
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