| U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体 |
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| 引用本文： | 金应荣,李丽霞,贺毅,朱兴华. U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体[J]. 西华大学学报(自然科学版), 2007, 26(1): 31-32 |
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| 作者姓名： | 金应荣 李丽霞 贺毅 朱兴华 |
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| 作者单位： | 西华大学材料科学与工程学院,四川,成都,610039;成都信息工程学院光电技术系,四川,成都,610225 |
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| 摘 要： | 碘化铅（PbI2）晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。由于铅、碘化铅和碘三种物质的蒸汽压差很大,很难生长出优质的碘化铅单晶体。本文根据碘化铅熔体容易分解及Pb-I系统中熔体分层的特性,设计制作了新型的生长坩埚,并采用U型坩埚上升法生长出了橘黄色、半透明状的碘化铅晶体,初步测得其电阻率为1.7×10^12Ω.cm,红外透过率为45%。
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| 关 键 词： | 碘化铅单晶 单晶生长 U型坩埚上升法 |
| 文章编号： | 1673-159X（2007）01-0031-02 |
| 修稿时间： | 2006-10-20 |
Growth of PbI2 Single Crystal with Ascending U Type Ampoule |
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| JIN Ying-rong. Growth of PbI2 Single Crystal with Ascending U Type Ampoule[J]. Journal of Xihua University(Natural Science Edition), 2007, 26(1): 31-32 |
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| Authors: | JIN Ying-rong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PbI2 single crystal crystal growth ascending U type ampoule |
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