首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计
引用本文:张海清,章倩苓.2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计[J].半导体学报,2003,24(11):1154-1158.
作者姓名:张海清  章倩苓
作者单位:复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 (张海清),复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433(章倩苓)
基金项目:国家高技术研究发展计划资助项目(编号 :2 0 0 2 AA1Z10 60 )~~
摘    要:用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A.

关 键 词:2.5GHz  LC  VCO    相位噪声    增强型可变电容    片上集成螺旋电感

Design of 2.5GHz Low Phase Noise CMOS LC-VCO
Zhang Haiqing,ZHANG QianLing.Design of 2.5GHz Low Phase Noise CMOS LC-VCO[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(11):1154-1158.
Authors:Zhang Haiqing  ZHANG QianLing
Abstract:
Keywords:2  5GHz LC  VCO  phase noise  accumulation varactors  on  chip spiral inductor
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号