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| 声电输运器件的沟道特性研究 | |
| 引用本文： | 邹英寅,凌明芳,陈抗生.声电输运器件的沟道特性研究[J].半导体学报,1992,13(1):42-48. |
| 作者姓名： | 邹英寅 凌明芳 陈抗生 |
| 作者单位： | 浙江大学 杭州310008 (邹英寅，凌明芳)，浙江大学 杭州310008(陈抗生) |
| 摘 要： | 为实现砷化镓声电输运,必须在外延层中建立电子输运沟道.本文对金属-n型外延层-半绝缘衬底结构的输运沟道给出耗尽分析的解析表达式,分析了外延层厚度、掺杂浓度、偏置电压等参数对输运沟道耗尽特性的影响,以及器件表面存在氧化层时对器件工作特性的影响. |
| 关 键 词： | 声电输运器件 ACT器件 沟道特性 |
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